Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
IRFR5305PBF | 2060 | 42.97 руб. | |
IRFR5305TRPBF | 2208 | 84.91 руб. | |
P-канальный МОП-транзистор (MOSFET) в корпусе для планарного монтажа (D-Pak).
Основные характеристики:
Максимальный ток стока 31А
Максимальное напряжение сток-исток 55V
Сопротивление сток-исток (откр.) < 0,065 om
Максимальная мощность рассеивания 110W
Допустимое напряжение на затворе +-20V
Пороговое напряжение на затворе -2..-4V
Ток утечки затвора < 0,1 uA
Ток утечки стока (закр.) < 25uA
Время включения/выключения 14/39nS
Время восстановления диода 250nS (тип.)
Входная/выходная ёмкость 1200/520pF (тип.)
КорпусD-pak
Диапазон рабочих температур -55..+150oC
Параметр |
Значение |
---|---|
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Серия | HEXFET® |
FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET Feature | Standard |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 16A, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 31A |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) @ Vgs | 63nC @ 10V |
Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1200pF @ 25V |
Power - Max | 110W |
Тип монтажа | Поверхностный |
Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Корпус | D-Pak |
IRFR5305 55V Single P-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package
Производитель:
|
||