Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRL530N | 1 | 261.96 руб. | |
Параметр |
Значение |
|---|---|
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 9A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 17A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 34nC @ 5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 800pF @ 25V |
| Power - Max | 3.8W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-262-3 (Straight Leads) |
| Корпус | TO-262 |
|
IRL530NS 100V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package Также в этом файле: IRL530NL, IRL530NSTRL, IRL530NSTRR
Производитель:
|
||
 | РџР•022 Р В Р’ВР РЋР Сџ.1 Для РєРѕРСВплектацРСвЂР  С†Р С—анелей, пультов, постовРцшкафовуправленРСвЂР РЋР РЏ встацРСвЂР  С•Р Р…арных установках, Р В Р’В° также РІРСВР В РЎвЂР  С”ропроцессорной технРСвЂР  С”Р Вµ, Р В РЎВеталлообрабатывающеРѠРѕР±... 1579.20 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
 | JYC-160103S-VA АлфавРСвЂР ЎвЂљР Р…Р С•-С†РСвЂР ЎвЂћРЎР‚РѕРІРѕР№ жк Р В РЎВРѕРТвЂР ЎС“ль 16 РЎРѓР СвЂР В РЎВволовна 1 строку РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
 | IRLR7807ZCPBF Hexfet power mosfets discrete n-channel РљСѓРїРСвЂР ЎвЂљРЎРЉ |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
