IRL640

Транзистор полевой N-канальный MOSFET, 200В, логический уровень включателя

Наименование
Кол-во
Цена
IRL640PBF (VISHAY) 629 203.74
IRL640SPBF (VISHAY) 7 256.42
IRL640STRLPBF (VISHAY) 4318 247.83

Технические характеристики IRL640

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 10A, 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 17A
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 66nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1800pF @ 25V
Power - Max 125W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru