Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRLD120PBF

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET (100V, 1.3A, 1.3W, 0.27R)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRLD120PBF (VISHAY) 144 59.28 руб. 

Технические характеристики IRLD120PBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 780mA, 5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 1.3A
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 12nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 490pF @ 25V
Power - Max 1.3W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRLD120PBF
MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRLD120PBF.pdf
1.7 Мб