Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRLML0030

Версия для печати Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на управление 30В, 5.3А, 1.3Вт

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRLML0030 (HOTTECH) 8000 7.08 руб. 
IRLML0030TRPBF (INFINEON) 13600 20.07 руб. 

Описание IRLML0030

Транзистор NexFET™ полевой N канальный,  имеет низкие потери на проводимость и на управление
Напряжение сток исток 30В
Ток стока   5.3А
Мощность рассеиваемая   1.3Вт
Время восстановления  11нс
Диапазон температур  - 55 ... 150оС

Технические характеристики IRLML0030

Параметр
Значение
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27 mOhm @ 5.2A, 10V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 5.3A
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 25µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 2.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 382pF @ 15V
Power - Max 1.3W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус Micro3™/SOT-23
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


Транзистор NexFET™ полевой N канальный, имеет низкие потери на проводимость и на управление 30В, 5.3А, 1.3Вт

irlml0030.pdf
224,54kB
10стр.