IRLU024N

Версия для печати N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C, Rds=0.065 R, P=45W, -55 to +175C), логический уровень переключателя.

Наименование	Кол-во	Цена
IRLU024NPBF	1180	41.93 руб.

Технические характеристики IRLU024N

Параметр	Значение
FET Feature	Logic Level Gate
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs	65 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	17A
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	15nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	480pF @ 25V
Power - Max	45W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
Корпус	I-Pak

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
LM317T (ST MICROELECTRONICS)	6980	42.69 руб.

IRLU024NPBF

Hexfet Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irlu024npbf.pdf
304.83Kb
10стр.

AD8402AR100
2 Цифровой потенциометра, 100кОм, 8 бит, 256 позиций, SPI, 500ppm/°С, 71кГц, 29нВ/VГц, Iп=0.9мА, Uп=2.7:5.5В, -40..+125°С
Купить

8212JH3
Осевой вентилятор постоянного тока серии 8200j
Купить

HDSM-291H
Семисегментный двухразрядный светодиодный индикатор для smd монтажа, высота символа 7 мм (0,28")Особенности: Высота символа 7 мм (0.28") ...
Купить