MGSF1N03LT1G


Наименование
Кол-во
Цена
MGSF1N03LT1G 8 Заказ радиодеталей

Технические характеристики MGSF1N03LT1G

Параметр
Значение
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 1.6A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 100 mOhm @ 1.2A, 10V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (Max) @ Id 2.4V @ 250µA
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 140pF @ 5V
Power - Max 420mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru