Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
MJE13003 | 8 | 25.34 руб. | |
Биполярный высоковольтный N-P-N транзистор средней мощности.
Основные параметры MJE13003:
Uкэ(max) 400V
Iк(max) 1,5A
Iк.имп(max) 3,0A
P(max), при t=25oC1, 4W
Hfe (коэфф. передачи тока) 8..40
Iк.обр, не более 1mA
Fгр. (граничная частота)> 4MHz
Корпус TO-126 (SOT-32)
Аналог КТ8170А1
Различные производители данного транзистора делают его в различных корпусах и с различным расположением выводов.
Параметр |
Значение |
---|---|
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 400V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1.5A |
Transistor Type | NPN |
Серия | SWITCHMODE™ |
Lead Free Status / RoHS Status | Contains lead / RoHS non-compliant |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 500mA, 1.5A |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 500mA, 2V |
Power - Max | 1.4W |
Frequency - Transition | 10MHz |
Тип монтажа | Выводной |
Корпус (размер) | TO-225-3 |
Корпус | TO225AA |
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
---|---|---|---|
КТ8170А1 (МИНСК) | 1321 | 14.40 руб. | |
UTCMJE13003 Биполярные транзисторы SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED MESA TYPE
Производитель:
|
||