Si2304DDS


Наименование
Кол-во
Цена
SI2304DDS 9600 5.27

Технические характеристики Si2304DDS

Параметр
Значение
Gate Charge (Qg) @ Vgs 6.7nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.3A
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 3.2A, 10V
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия TrenchFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 235pF @ 15V
Power - Max 1.7W
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3 (TO-236)


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru