Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

SI2308BDS-T1-GE3

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
SI2308BDS-T1-GE3 (VISHAY) 1600 55.50 руб. 

Технические характеристики SI2308BDS-T1-GE3

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 156 mOhm @ 1.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 2.3A
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 6.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 190pF @ 30V
Power - Max 1.66W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3 (TO-236)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
AO3422 12000 5.77 руб. 
STM32F101CBT6 1186 422.40 руб.