Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

SI4401BDY-T1-GE3

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
SI4401BDY-T1-GE3 (VISHAY) 1327 657.89 руб. 

Описание SI4401BDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC

Технические характеристики SI4401BDY-T1-GE3

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14 mOhm @ 10.5A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 8.7A
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 55nC @ 5V
Power - Max 1.5W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SOICN
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
ATMEGA328P-MU 784 275.41 руб. 
STM32F030F4P6 (ST MICROELECTRONICS) 5280 141.70 руб. 


si4401bd.pdf