SI4425BDY-T1-E3

Версия для печати P-Ch -30V -11,4A 1,5W 0,012R

Наименование	Кол-во	Цена
SI4425BDY-T1-E3 (VISHAY)	254	244.72 руб.

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	TrenchFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 11.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	8.8A
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	100nC @ 10V
Power - Max	1.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SOICN

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.