Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

SI7145DP-T1-GE3

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
SI7145DP-T1-GE3 (VISHAY) 6 222.94 руб. 

Описание SI7145DP-T1-GE3

MOSFET P-CH D-S 30V 8-SOIC

Технические характеристики SI7145DP-T1-GE3

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия TrenchFET®
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ 25A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 60A
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 413nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 15660pF @ 15V
Power - Max 104W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) PowerPAK® SO-8
Корпус PowerPAK® SO-8
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.