SIR426DP-T1-GE3
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| SIR426DP-T1-GE3 (VISHAY) | 373 | 88.28 |
Описание SIR426DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 15.9A 8-SOICТехнические характеристики SIR426DP-T1-GE3
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | TrenchFET® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5 mOhm @ 15A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 30A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 31nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1160pF @ 20V |
| Power - Max | 41.7W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | PowerPAK® SO-8 |
| Корпус | PowerPAK® SO-8 |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru