STD2HNK60Z

N-channel 600v - 4.4? - 2a - dpak/ipak zener-protected supermesh™ power mosfet

Наименование
Кол-во
Цена
STD2HNK60Z (ST MICROELECTRONICS) 2616 66.67

Технические характеристики STD2HNK60Z

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия SuperMESH™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8 Ohm @ 1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 2A
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 15nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 280pF @ 25V
Power - Max 45W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус D-Pak


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru