Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

STP10NM60N

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
STP10NM60N (ST MICROELECTRONICS) 152 314.70 руб. 

Технические характеристики STP10NM60N

Параметр
Значение
Rds On (Max) @ Id, Vgs 550 mOhm @ 4A, 10V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия MDmesh™
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 10A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 19nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 540pF @ 50V
Power - Max 70W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.