Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

STP6NK90Z

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный Z-Dio (900V, 5.8A, 140W, 2R)

Наименование
Кол-во
Цена
 
STP6NK90Z (ST MICROELECTRONICS) 90 460.17 руб. 

Технические характеристики STP6NK90Z

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия SuperMESH™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 2.9A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 5.8A
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 60.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1350pF @ 25V
Power - Max 140W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
AT89C2051-24PU (MICRO CHIP) 4047 429.17 руб. 
NCP1219BD100R2G (ONS) 11 1 345.21 руб. 
UC3843BN (ST MICROELECTRONICS) 160 42.38 руб. 
STP6NK90Z
MOSFET

N-channel 900V - 1.56? - 5.8A - TO-220 Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET

Производитель:
STMicroelectronics

STP6NK90Z, STP6NK90ZFP, STB6NK90Z, STW7NK90Z.pdf
481.8 Кб