STY112N65M5
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| STY112N65M5 (ST MICROELECTRONICS) | 22 | 2 018.60 |
Технические характеристики STY112N65M5
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | MDmesh™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 47A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 93A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 360nC @ 10V |
| Power - Max | 450W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | MAX247™ |
| Корпус | MAX-247 |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru