ZVN2110A
N-channel enhancement mode vertical dmos fetНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| ZVN2110A (DIODES) | 2906 | 58.38 |
Технические характеристики ZVN2110A
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 1A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 320mA |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 1mA |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 75pF @ 25V |
| Power - Max | 700mW |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 |
| Корпус | TO-92-3 |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru