ZXMN10A11GTA
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| ZXMN10A11GTA (DIODES) | 800 | 84.77 |
Описание ZXMN10A11GTA
MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT223Технические характеристики ZXMN10A11GTA
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350 mOhm @ 2.6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 1.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 5.4nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 274pF @ 50V |
| Power - Max | 2W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-261-4, TO-261AA |
| Корпус | SOT-223 |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru