Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

PDTC115ET,215

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
PDTC115ET,215 (NEX) 8943 1.45 руб. 

Описание PDTC115ET,215

TRANS NPN 50V 20MA SOT23

Технические характеристики PDTC115ET,215

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Current - Collector (Ic) (Max) 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) (Ohms) 100K
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 100K
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max) 1µA
Power - Max 250mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус TO-236AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.


PDTC115E_SERIES.pdf