Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BC847BWT1G

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
BC847BWT1G (ONS) 15110 4.50 руб. 

Технические характеристики BC847BWT1G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Power - Max 150mW
Frequency - Transition 100MHz
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) SC-70, SOT-323
Корпус SC-70-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
LM2904DR2G (ONS) 15799 29.19 руб. 
LM358DR2G (ONS) 4786 22.50 руб. 
NE555DR 6560 9.55 руб. 
PIC16F676-I/SL (MICRO CHIP) 5082 169.55 руб.