Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

MMBT5550LT1G

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
MMBT5550LT1G (ONS) 3567 6.69 руб. 

Технические характеристики MMBT5550LT1G

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Transistor Type NPN
Current - Collector (Ic) (Max) 60mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 140V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 60 @ 10mA, 5V
Power - Max 225mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3
Product Change Notification Wire Change 08/May/2007 Possible Adhesion Issue 11/July/2008
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.