Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

2N7002E

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET (Vds=60V, Id=0.38A@T=25C, Id=0.245A@T=100C)

Наименование
Кол-во
Цена
 
2N7002E 11200 1.73 руб. 

Технические характеристики 2N7002E

Параметр
Значение
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 250mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 240mA
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 0.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 21pF @ 5V
Power - Max 350mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23-3 (TO-236)
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
2N7002E
MOSFET

N-Channel 60-V MOSFET

Производитель:
Vishay

2N7002E.pdf
81.8 Кб