Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BSP250

Версия для печати P-channel enhancement mode vertical d-mos transistor

Наименование
Кол-во
Цена
 
BSP250 (INFINEON) 35 73.81 руб. 

Технические характеристики BSP250

Параметр
Значение
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 250 mOhm @ 1A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3A
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 25nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 250pF @ 20V
Power - Max 1.65W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-261-4, TO-261AA
Корпус SOT-223
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
BSP250
MOSFET

P-channel enhancement mode vertical D-MOS transistor

Производитель:
NXP

BSP250.pdf
93.7 Кб