Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

BSP297

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
BSP297 80 Заказ радиодеталей

Технические характеристики BSP297

Параметр
Значение
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 Ohm @ 660mA, 10v
FET Feature Logic Level Gate
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия SIPMOS®
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 660mA
Vgs(th) (Max) @ Id 1.8V @ 400µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 16.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 357pF @ 25V
Power - Max 1.8W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-261-4, TO-261AA
Корпус PG-SOT223-4
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.