Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

CSD16409Q3

Версия для печати N-channel ciclon nexfet power mosfets

Наименование
Кол-во
Цена
 
CSD16409Q3 (TEXAS INSTRUMENTS) 51 21.60 руб. 

Технические характеристики CSD16409Q3

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free by exemption / RoHS compliant by exemption
Серия NexFET™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.2 mOhm @ 17A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 60A
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 5.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 800pF @ 12.5V
Power - Max 2.6W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SON
Корпус 8-SON
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
CSD16409Q3
MOSFET

N-Channel CICLON NexFET Power MOSFETs

Производитель:
Texas Instruments

CSD16409Q3.pdf
574.5 Кб