Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

FDC638P

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
FDC638P 80 Заказ радиодеталей

Технические характеристики FDC638P

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия PowerTrench®
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48 mOhm @ 4.5A, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 4.5A
Vgs(th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 14nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1160pF @ 10V
Power - Max 800mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 6-SSOT, SuperSOT™-6
Корпус 6-SSOT
Product Change Notification Design/Process Change Notification 11/May/2007 Cu Wire Change 30/July
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
BTA12-600C
TRIAC 600V, 12A, Igt=25mA
30.63 руб Купить
IRFP250
Транзистор MOSFET N-канальный, Vси = 200В, Rоткр = 0.085 Ом, Ic = 30A
Купить
KCDC03-107
7-сегментный светодиодный индикатор с высотой символа 7.62мм (0.3 дюйма) Размер символа 7.62мм Малый уровень потребления Превосходные характеристик...
Купить