FDD850N10L
Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| FDD850N10L (ONS) | 254 | 160.75 |
Описание FDD850N10L
MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3Технические характеристики FDD850N10L
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | PowerTrench® |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 12A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 15.7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 28.9nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1465pF @ 25V |
| Power - Max | 50W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | TO-252, (D-Pak) |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru