Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

FDV301N

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)

Наименование
Кол-во
Цена
 
FDV301N 12000 4.81 руб. 

Технические характеристики FDV301N

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 220mA
Vgs(th) (Max) @ Id 1.06V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 0.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 9.5pF @ 10V
Power - Max 350mW
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус SOT-23
Product Change Notification Mold Compound Change 12/Dec/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BSS138 79680 1.38 руб. 
FDV301N
Мощные полевые МОП транзисторы

Digital Fet, N-channel

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

fdv301n.pdf
100.52Kb
5стр.