FDV301N

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET (25V, 0.22A, 0.35W)

Наименование	Кол-во	Цена
FDV301N	11600	4.84 руб.

Технические характеристики FDV301N

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss)	25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	220mA
Vgs(th) (Max) @ Id	1.06V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	0.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	9.5pF @ 10V
Power - Max	350mW
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Корпус	SOT-23
Product Change Notification	Mold Compound Change 12/Dec/2007

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
293D107X9020D2TE3 (VISHAY)	25882	100.87 руб.
BSS138 (HOTTECH)	170579	2.40 руб.
M20-6103245	3

FDV301N
Мощные полевые МОП транзисторы

Digital Fet, N-channel

Производитель:
Fairchild Semiconductor
//www.fairchildsemi.com

fdv301n.pdf
100.52Kb
5стр.

ПЕ021 ИСП.1
Для комплектации панелей, пультов, постов и шкафов управления в стационарных установках, а также в микропроцессорной технике, металлообрабатывающем об...
1017.76 руб Купить

СР50-471ФВ
Соединители типа СР-50 для соединения байонетным или резьбовым способом радиочастотных трактов с волновым сопротивлением 50 Ом. Диапазон частот от 300...
1241.08 руб Купить

MB508
(KBPC5008) , мост 50А, 800В
Купить