FQD17P06TM
Транзистор MOSFET , P- канальный , 60В, 12АНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| FQD17P06TM (ONS) | 96 | 203.04 |
Описание FQD17P06TM
Транзистор MOSFET , P- канальный
Напряжение сток - исток 60В
Ток стока 12А
Сопротивление канала 135мОм
Напряжение затвор исток 25В
Время выключения / включения 22/13 нс
Мощность рассеиваемая 2.5Вт
Диапазон температур - 55 ... 150оС
DPAK
Технические характеристики FQD17P06TM
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Product Change Notification | Lead Dimension Change 23/Jan/2007 |
| Серия | QFET™ |
| FET Type | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 135 mOhm @ 6A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 12A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 27nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 900pF @ 25V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Корпус | D-Pak |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru