FQPF7N65C
Транзистор MOSFET , N- канальный , 650В, 7АНаименование |
Кол-во
|
Цена
|
|---|---|---|
| FQPF7N65C (ONS) | 122 | 298.11 |
Описание FQPF7N65C
Транзистор MOSFET , N- канальный
Напряжение сток - исток 650В
Ток стока 7А
Сопротивление канала 1.4Ом
Напряжение затвор исток 10В
Время выключения / включения 90/20 нс
Мощность рассеиваемая 52Вт
Диапазон температур - 55 ... 150оС
Технические характеристики FQPF7N65C
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Серия | QFET™ |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET Feature | Standard |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 3.5A, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 7A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 36nC @ 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 1245pF @ 25V |
| Power - Max | 52W |
| Тип монтажа | Выводной |
| Корпус (размер) | TO-220-3 Full Pack |
| Корпус | TO-220F |
Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru