Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

FQPF8N80C

Версия для печати 800v n-channel mosfet

Наименование
Кол-во
Цена
 
FQPF8N80C (ONS) 41 271.02 руб. 

Технические характеристики FQPF8N80C

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия QFET™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.55 Ohm @ 4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 8A
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2050pF @ 25V
Power - Max 59W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3 Full Pack
Корпус TO-220F
Product Change Notification Design/Process Change Notification 26/June/2007
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF7204PBF 6 88.80 руб. 
LB1838M-TRM-E (ONS) 185 192.04 руб. 
SQP500JB-200R (YAGEO) 4236 24.39 руб. 
FQPF8N80C
MOSFET

800V N-Channel MOSFET

Производитель:
Fairchild Semiconductor

FQP8N80C, FQPF8N80C, FQPF8N80CYDTU.pdf
1.3 Мб