Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

FQT7N10LTF

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
FQT7N10LTF (ONS) 483 70.87 руб. 

Описание FQT7N10LTF

MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

Технические характеристики FQT7N10LTF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия QFET™
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs 350 mOhm @ 850mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 1.7A
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 6nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 290pF @ 25V
Power - Max 2W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-261-4, TO-261AA
Корпус SOT-223-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
UC3846DW (UNITRODE (TI)) 730 302.40 руб. 


FQT7N10L.pdf