IRF1018EPBF

Транзистор полевой N-канальный MOSFET (60V 79A)

Наименование
Кол-во
Цена
IRF1018EPBF 720 73.94

Технические характеристики IRF1018EPBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия HEXFET®
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.4 mOhm @ 47A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 79A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 100µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 69nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2290pF @ 50V
Power - Max 110W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru