Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF3205S

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный MOSFET

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF3205S 2480 43.94 руб. 

Технические характеристики IRF3205S

Параметр
Значение
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 62A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 110A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 146nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 3247pF @ 25V
Power - Max 200W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-263-3, D²Pak (2 leads + Tab), TO-263AB
Корпус D2PAK
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRF3205L
N-канальные транзисторные модули

HEXFETand#174; Power MOSFET

Также в этом файле: IRF3205S

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irf3205l.pdf
162.05Kb
10стр.
19C015PV3K
Датчик давления в металлическая корпусе 0. 15 psi (0:103,5 кПа),Uвых=0..100mV, c температурной компенсацией (0..+82°C)и калибровкой, Tраб -40..+125°С
Купить
MOC3083
Симисторный оптрон широкого применения с коммутацией нагрузки в момент перехода сетевого напряжения через ноль.Оптрон MOC3083 применяется для управлен...
Купить
HSMM-A101-R8PJ1
Светодиод для поверхностного монтажа
Купить