Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF3415

Версия для печати Транзистор полевой

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF3415 800 102.82 руб. 

Технические характеристики IRF3415

Параметр
Значение
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 42 mOhm @ 22A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 43A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 200nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2400pF @ 25V
Power - Max 3.8W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-262-3 (Straight Leads)
Корпус TO-262
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
4N25 (LITE-ON) 14 30.57 руб. 
74HC4060D 11 42.00 руб. 
IRFZ44N (INTERNATIONAL RECTIFIER) 800 122.40 руб. 
PIC16F873A-I/SP (MICRO CHIP) 8 703.80 руб. 
IRF3415S
N-канальные транзисторные модули

150V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D2-Pak Package

Также в этом файле: IRF3415S

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irf3415s.pdf
158.28Kb
10стр.