Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF540NPBF

Версия для печати Полевой транзистор N-канальный (Vds=100V, Id=33A@T=25C, Id=23A@T=100C, Rds=0.044 R@Vgs=10V, P=130W, -55 to 175C), Pb-free.

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF540NPBF 6080 28.86 руб. 

Технические характеристики IRF540NPBF

Параметр
Значение
Корпус (размер) TO-220-3
Тип монтажа Выводной
Power - Max 130W
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1960pF @ 25V
Gate Charge (Qg) @ Vgs 71nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 33A
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 44 mOhm @ 16A, 10V
FET Feature Standard
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
74HC00D (NXP) 3395 19.20 руб. 
CP2102-GMR (SILICON LABS) 776 366.05 руб. 
IRF540NPBF

Hexfet Power Mosfet

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irf540npbf.pdf
150.07Kb
8стр.