Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF5803D2PBF

Версия для печати
Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF5803D2PBF (INFINEON) 1 54.32 руб. 

Технические характеристики IRF5803D2PBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия FETKY™
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 112 mOhm @ 3.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 3.4A
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 37nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1110pF @ 25V
Power - Max 2W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус 8-SO
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.