IRF640N

Версия для печати Транзистор полевой N-канальный (Vds=200V, Id=18A@t=25C, Id=13A@t=100C, Rds=150 mOm, P=150W, -55 to 175C)

Наименование	Кол-во	Цена
IRF640N	1014	101.38 руб.
IRF640NPBF (INFINEON)	2080	89.74 руб.

Описание IRF640N

N-канальный МОП-транзистор (MOSFET) с обратным диодом для работы в ключевом режиме.
Максимальный ток стока 18А
Максимальное напряжение сток-исток 200V
Сопротивление сток-исток (откр.) <0,15 om (тип. 0,48 om)
Максимальная мощность рассеивания 150W
Допустимое напряжение на затворе +-20V
Пороговое напряжение на затворе +2..+4V
Ток утечки затвора < 0,1 uA
Ток утечки стока (закр.) < 1 uA
Время включения/выключения 10/23nS (тип.)
Время восстановления диода 167nS (тип.)
Корпус IRF640N TO-220
Диапазон рабочих температур-55..+175^oC
Аналог КП750А

Технические характеристики IRF640N

Параметр	Значение
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Серия	HEXFET®
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	150 mOhm @ 11A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	18A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	67nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1160pF @ 25V
Power - Max	150W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
IRF540N	670	90.82 руб.
TDA7294V (ST MICROELECTRONICS)	26	587.52 руб.
TL494CN (MOTOROLA)	80	61.20 руб.
TL494CN (TEXAS INSTRUMENTS)	80	61.20 руб.

IRF640N
N-канальные транзисторные модули

Power MOSFET (Vdss=200V, Rds (on) =0.15ohm, Id=18A)

Также в этом файле: IRF640NL, IRF640NS

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irf640n.pdf
155.41Kb
11стр.