IRF720

Версия для печати Транзистор полевой N-Канальный 400V 3,3A 50W 1,8R

Наименование	Кол-во	Цена
IRF720 (ВЗПП)	8	40.82 руб.

Технические характеристики IRF720

Параметр	Значение
FET Type	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status	Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature	Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.8 Ohm @ 2A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	400V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	3.3A
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	410pF @ 25V
Power - Max	50W
Тип монтажа	Выводной
Корпус (размер)	TO-220-3
Корпус	TO-220AB

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

Аналоги для IRF720

Наименование	Кол-во	Цена
IRF730	152	122.10 руб.

С этим товаром покупают:

Наименование	Кол-во	Цена
1N5822RL (ST MICROELECTRONICS)	1971	38.18 руб.
MJE13005	3	71.04 руб.

IRF72x

N-CHANNEL POWER MOSFETS

Также в этом файле: IRF720

Производитель:
Samsung semiconductor
//www.samsung.com

irf72x.pdf
277.47Kb
5стр.

P6CG-0505E
Dc/dc конвертор мощностью 1 вт, корпус sip-7, с напряжением изоляции 1000 вольтПараметры входа Диапазон напряжения - ± 10% Фильтр - Конденсаторы ...
Купить

FDS3590
80v n-channel powertrench mosfet
Купить

BS5-K2M
Отличительные особенности * Миниатюрные размеры, встроенный усилитель, NPN выход с открытым коллектором * Широкая область применения благодаря различн...
728.30 руб Купить