IRF7416PBF

Версия для печати Силовой МОП-Транзистор P-канальный (Vds=-30V, Id=-10A@t=25C, Id=-7.1A@t=70C, Rds=0.02R, P=2.5W, -55 to 150C).

Наименование	Кол-во	Цена
IRF7416PBF	1200	46.46 руб.

Параметр	Значение
Lead Free Status / RoHS Status	Lead free / RoHS Compliant
Серия	HEXFET®
FET Type	MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature	Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 5.6A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C	10A
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs	92nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds	1700pF @ 25V
Power - Max	2.5W
Тип монтажа	Поверхностный
Корпус (размер)	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Корпус	8-SO

* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.