Наименование |
Кол-во
|
Цена
|
|
|---|---|---|---|
| IRF7832TRPBF (INFINEON) | 5162 | 79.08 руб. | |
Параметр |
Значение |
|---|---|
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 mOhm @ 20A, 10V |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| FET Type | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серия | HEXFET® |
| Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 20A |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.32V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 51nC @ 4.5V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 4310pF @ 15V |
| Power - Max | 2.5W |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Корпус (размер) | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Корпус | 8-SO |
 | IRFBG30PBF Полевой транзРСвЂВВстор N-канальный (Vds=1000V, Id=3.1A, Idm=12A, Rds=5Ohm, P=125W, -55 to +150C), Pb-free. 83.71 СЂСѓР± РљСѓРїРСвЂВВть |
 | FLUKE T5-600 НезаРСВВВкнутые РіСѓР±РєРСвЂВВ; Р В РІР‚ВВВазовая погрешность 1 %; Р В Р’ВВВР В Р’В·Р В РЎВВВеренРСвЂВВР В Р’Вµ напряженРСвЂВВР РЋР РЏ РїРѕСЃС‚./пер. 1…600 Р В РІР‚в„ў (45…66 Гц); Р В Р’ВВВР В Р’В·Р В РЎВВВеренРСвЂВВР В Р’Вµ тока пер. 0,1&... РљСѓРїРСвЂВВть |
 | HDSP-521E РЎРµРСВВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВВсегРСВВВентный Р В Р’В Р СћРІР‚ВВвухразряРТвЂВВный светоРТвЂВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВВРѕРТвЂВВный Р В Р’В Р РЋРІР‚ВВР Р…Р ТвЂВВР В Р’В Р РЋРІР‚ВВкатор, высота РЎРѓР СвЂВВР В Р’В Р РЋР’ВВвола 14.22 Р В Р’В Р РЋР’ВВР В Р’В Р РЋР’В (0.56") РљСѓРїРСвЂВВть |
 |
 |
 |
 |
 |
 |