Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF9510PBF

Версия для печати МОП-Транзистор, Р-кан, Vси = -100В, Iс = -4A, 43Вт, Rоткр = 1.2Ом, 43Вт

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF9510PBF (VISHAY) 773 143.46 руб. 

Технические характеристики IRF9510PBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.2 Ohm @ 2.4A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 4A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 8.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 200pF @ 25V
Power - Max 43W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRF9510PBF
MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRF9510PBF.pdf
1.1 Мб
TA8273H
УНЧ 4x29W BTL (14.4V/4 Ом), max 4x47W, Gv=27dB
Купить
REC3-2415DRW/H1/B
Rec3-2415drw/h1/b - dc/dc преобразователь мощностью 3 вт, корпус: для монтажа на печатную плату dip24
Купить
RM25
Диод огpаничительный, Vrm=40V (Vz=50-61.5V)
Купить