Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRF9610PBF

Версия для печати Транзистор полевой P-канальный MOSFET (200V, 1.8A, 20W, 3R)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRF9610PBF 442 84.48 руб. 

Технические характеристики IRF9610PBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3 Ohm @ 900mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 1.8A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 11nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 170pF @ 25V
Power - Max 20W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BC546B (ON SEMICONDUCTOR) 800 11.63 руб. 
BC550CG 4 Заказ радиодеталей
BC556B 20800 1.42 руб. 
IRF9610PBF
MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRF9610PBF.pdf
1.1 Мб