IRFB38N20DPBF

N-канальный Полевой транзистор (Vds=200V, Id=43A@T=25C, Rds=0.054 R@Vgs=10V, P=3.8W).

Наименование
Кол-во
Цена
IRFB38N20DPBF (INFINEON) 464 256.52

Технические характеристики IRFB38N20DPBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия HEXFET®
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 54 mOhm @ 26A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 43A
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 91nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2900pF @ 25V
Power - Max 3.8W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-220-3
Корпус TO-220AB


Москва º ул.Марксистская, д.34, корпус 4, эт. 4, пом. I, ком. 23 º (495) 150-88-73
Воронеж º Московский пр-т, д.97 º (473) 239-22-32
www.elekont.ru