Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFD220PBF

Версия для печати Транзистор N-Канальный 200V 0,8A 1,0W 0,8R

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFD220PBF (VISHAY) 40 136.25 руб. 

Технические характеристики IRFD220PBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 480mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 800mA
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 14nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 260pF @ 25V
Power - Max 1W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRFD220PBF
MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFD220PBF.pdf
1.8 Мб