Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFD9120PBF

Версия для печати МОП-Транзистор, Р-кан, Vси = -100В, Iс = -1A, 1.3Вт, Rоткр = 0.6 Ом

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFD9120PBF (VISHAY) 72 88.47 руб. 

Технические характеристики IRFD9120PBF

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type MOSFET P-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 600mA, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 1A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 18nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 390pF @ 25V
Power - Max 1.3W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Корпус 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.
IRFD9120PBF
MOSFET

HEXFET® Power MOSFET

Производитель:
Vishay

IRFD9120PBF.pdf
1.8 Мб