Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFPF40

Версия для печати Транзистор полевой N-MOS 900V, 4.7A, 150W

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFPF40 8 528.00 руб. 

Технические характеристики IRFPF40

Параметр
Значение
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 2.8A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 4.7A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 120nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 1600pF @ 25V
Power - Max 150W
Тип монтажа Выводной
Корпус (размер) TO-247-3
Корпус TO-247-3
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRGP50B60PD1PBF (INFINEON) 2 2 168.91 руб. 
VIPER22ADIP-E (ST MICROELECTRONICS) 544 48.41 руб. 
КТ827А (БРЯНСК) 160 1 752.00 руб. 
IRFPF40
N-канальные транзисторные модули

Power Mosfet (vdss=900v, Rds (on) =2.5ohm, Id=4.7a)

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irfpf40.pdf
173.86Kb
6стр.