Выбрано 0 товаров
На сумму 0 р. 00 к.
Открыть / Очистить

IRFR024N

Версия для печати N-канальный Полевой транзистор (Vds=55V, Id=17A@T=25C, Id=12A@T=100C)

Наименование
Кол-во
Цена
 
IRFR024N 7400 16.00 руб. 

Технические характеристики IRFR024N

Параметр
Значение
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Серия HEXFET®
FET Type MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Rds On (Max) @ Id, Vgs 75 mOhm @ 10A, 10V
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 17A
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 370pF @ 25V
Power - Max 45W
Тип монтажа Поверхностный
Корпус (размер) TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Корпус D-Pak
* Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации.

С этим товаром покупают:

Наименование
Кол-во
Цена
 
BLM21AG102SN1D (MURATA) 38359 3.59 руб. 
BZV55-C4V7 (NEXPERIA) 976 3.85 руб. 
IRFR9024N 10000 15.36 руб. 
IRLR2905 1120 26.11 руб. 
IRFR024N

55V Single N-channel HexFET Power MOSFET inA D-pak Package

Производитель:
International Rectifier
//www.irf.com

irfr024n[1].pdf
180.08Kb
10стр.